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STW7NC90Z

更新时间： 2024-11-19 22:18:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 246K
描述
N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

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STW7NC90Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.7
雪崩能效等级（Eas）：315 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：1.9 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW7NC90Z 数据手册

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STW7NC90Z  
N-CHANNEL 900V - 1.55Ω - 6A TO-247  
Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STW7NC90Z  
900 V  
< 1.9 Ω  
6 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 1.55Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
TO-247  
DESCRIPTION  
The third generation of MESH OVERLAY™ Power  
MOSFETs for very high voltage exhibits unsur-  
passed on-resistance per unit area while integrating  
back-to-back Zener diodes between gate and  
source. Such arrangement gives extra ESD capabil-  
ity with higher ruggedness performance as request-  
ed by a large variety of single-switch applications.  
APPLICATIONS  
■
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,  
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION  
WELDING EQUIPMENT  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
900  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
900  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±25  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
6
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
3.8  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
24  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
160  
W
C
Derating Factor  
1.28  
W/°C  
mA  
KV  
V/ns  
°C  
°C  
I
Gate-source Current (DC)  
±50  
GS  
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
3
3
ESD(G-S)  
dv/dt(1)  
T
stg  
–65 to 150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
150  
j
(*) Limited by maximum temperature allowed  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤6A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
May 2001  
1/8  
12345678

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