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STW7NC80Z

更新时间： 2024-02-10 14:57:08

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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8页	251K
描述
N-CHANNEL 800V - 1.5ohm - 6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

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STW7NC80Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.82	雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	1.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	160 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STW7NC80Z 数据手册

STW7NC80Z

N-CHANNEL 800V - 1.5Ω - 6A TO-247

Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET

TYPE

DSS

DS(on)

STW7NC80Z

800 V

< 1.8Ω

■

TYPICAL R (on) = 1.5Ω

EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES

100% AVALANCHE TESTED

VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

GATE CHARGE MINIMIZED

TO-247

DESCRIPTION

The third generation of MESH OVERLAY™ Power

MOSFETs for very high voltage exhibits unsur-

passed on-resistance per unit area while integrating

back-to-back Zener diodes between gate and

source. Such arrangement gives extra ESD capabil-

ity with higher ruggedness performance as request-

ed by a large variety of single-switch applications.

APPLICATIONS

■

SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,

COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION

WELDING EQUIPMENT

■

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

800

±25

Unit

Drain-source Voltage (V = 0)

Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)

DGR

Gate- source Voltage

Drain Current (continuos) at T = 25°C

Drain Current (continuos) at T = 100°C

3.8

(●)

Drain Current (pulsed)

Total Dissipation at T = 25°C

160

1.28

±50

TOT

Derating Factor

W/°C

V/ns

°C

Gate-source Current

Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)

Peak Diode Recovery voltage slope

Storage Temperature

ESD(G-S)

dv/dt (1)

–65 to 150

150

stg

Max. Operating Junction Temperature

(•)Pulse width limited by safe operating area

(1)I ≤6A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V

, T ≤ T

(BR)DSS j JMAX.

July 2000

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