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STW7NC80Z

更新时间: 2024-02-29 20:23:18
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 251K
描述
N-CHANNEL 800V - 1.5ohm - 6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

STW7NC80Z 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.82雪崩能效等级(Eas):250 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):6 A最大漏极电流 (ID):6 A
最大漏源导通电阻:1.8 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-247JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):160 W最大脉冲漏极电流 (IDM):24 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STW7NC80Z 数据手册

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STW7NC80Z  
Fig. 1: Unclamped Inductive Load Test Circuit  
Fig. 2: Unclamped Inductive Waveform  
Fig. 3: Switching Times Test Circuit For  
Fig. 4: Gate Charge test Circuit  
Resistive Load  
Fig. 5: Test Circuit For Inductive Load Switching  
And Diode Recovery Times  
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