5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW7NA100
STW7NA100 PDF预览

STW7NA100

更新时间： 2024-09-17 22:18:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 78K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

STW7NA100 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.21Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：800 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：1.7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：190 W
最大功率耗散 (Abs)：190 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW7NA100 数据手册

 浏览型号STW7NA100的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STW7NA100的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STW7NA100的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STW7NA100的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STW7NA100的Datasheet PDF文件第6页 
STW7NA100  
STH7NA100FI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTORS  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STW7NA100  
STH7NA100FI  
1000 V  
1000 V  
< 1.7 Ω  
< 1.7 Ω  
7 A  
4.3 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 1.45 Ω  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
GATE CHARGE MINIMISED  
3
3
2
2
1
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD  
1
APPLICATIONS  
TO-247  
ISOWATT218  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STW7NA100 STH7NA100FI  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
1000  
1000  
± 30  
V
V
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
7
4.3  
2.7  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
4.4  
28  
A
IDM(•)  
Ptot  
Drain Current (pulsed)  
28  
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
190  
1.52  
70  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.56  
4000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/6  
March 1998  
123456

中文翻译

下载PDF

与STW7NA100相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STW7NA100FI STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STW7NA80 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STW7NA80 NJSEMI

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
STW7NA80FI STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STW7NA90 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 900V - 1.05ohm - 7A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOSFET
STW7NA90FI STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 900V - 1.05ohm - 7A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOSFET
STW7NB80 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 800V - 1.6ohm - 6.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW7NC80Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 800V - 1.5ohm - 6A TO-247 Zener-Pro
STW7NC90Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 6A TO-247 Zener-Pr
STW7NK90Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 900V - 1.56ヘ - 5.8A - TO-220/TO-220

与STW7NA100相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证