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STW7NA90

更新时间： 2024-11-23 22:18:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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9页 114K
描述
N - CHANNEL 900V - 1.05ohm - 7A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOSFET

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STW7NA90 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.36Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：700 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：1.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：190 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STW7NA90 数据手册

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STW7NA90  
STH7NA90FI  
N - CHANNEL 900V - 1.05Ω - 7A - TO-247/ISOWATT218  
FAST POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STW7NA90  
STH7NA90FI  
900 V  
900 V  
< 1.3 Ω  
7 A  
4.7 A  
<
1.3 Ω  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 1.05 Ω  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INTRINSIC CAPACITANCE  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
REDUCED VOLTAGE SPREAD  
APPLICATIONS  
TO-247  
ISOWATT218  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)  
CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING  
DC-AC CONVERTER FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE  
POWER SUPPLY (UPS)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STH7NA90FI  
Unit  
STW7NA90  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k  
Gate-source Voltage  
900  
900  
V
V
)
Ω
± 30  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
7
4
4.7  
3
A
ID  
A
IDM(• )  
Ptot  
30  
30  
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
190  
1.52  
−−−−−−  
70  
W
W/oC  
Derating Factor  
0.56  
4000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
V
-65 to 150  
150  
oC  
oC  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/9  
October 1998  
1234567...9

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与STW7NA90相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STW7NA90FI STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 900V - 1.05ohm - 7A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOSFET
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