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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
14页 | 963K | |
描述 | ||
N-channel 650 V, 0.033 ohm, 69 A, MDmesh V Power MOSFET TO-247 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-247 | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 2.26 |
雪崩能效等级(Eas): | 2000 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 650 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 69 A |
最大漏极电流 (ID): | 69 A | 最大漏源导通电阻: | 0.038 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 400 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 276 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STW70N60M2 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N沟道600 V、0.031 Ohm典型值、68 A MDmesh M2功率MOSFET, |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STW78N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道650 V、0.024 Ohm典型值、69 A MDmesh M5功率MOSF | |
STW7N105K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道1050 V、1.4 Ohm典型值、4 A MDmesh K5功率MOSFET,TO | |
STW7N90K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道900 V、0.72 Ohm典型值、7 A MDmesh K5功率MOSFET,TO | |
STW7N95K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 950 V, 1.1 Ohm, 7.2 A, TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESH3 Power | |
STW7NA100 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS | |
STW7NA100 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | |
STW7NA100FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS | |
STW7NA80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR | |
STW7NA80 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | |
STW7NA80FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |