是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.32 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 600 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6 A |
最大漏极电流 (ID): | 6 A | 最大漏源导通电阻: | 1.9 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 160 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 24 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STW6NB100 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 1000V - 2.3ohm - 5.4A - TO-247 PowerMESH MOSFET | |
STW6NB90 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 900V - 1.7ohm - 6.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET | |
STW6NC90 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-P | |
STW6NC90Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-P | |
STW6NK70Z | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 700V - 1.5Ω - 5A - TO-220/TO-220FP | |
STW70N10F4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET⢠| |
STW70N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、37 mOhm典型值、66 A MDmesh DM2功率MOSFET,T | |
STW70N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、36 mOhm典型值、62 A MDmesh DM6功率MOSFET,T | |
STW70N60DM6-4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、36 mOhm典型值、62 A MDmesh DM6功率MOSFET,T | |
STW70N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.031 Ohm典型值、68 A MDmesh M2功率MOSFET, |