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STW70N65DM6

更新时间: 2024-11-29 14:57:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
12页 927K
描述
N沟道650 V、360 mOhm典型值、68 A MDmesh DM6功率MOSFET,TO-247封装

STW70N65DM6 数据手册

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STW70N65DM6  
Datasheet  
N-channel 650 V, 36 mΩ typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET  
in a TO247 package  
Features  
V
R
.
I
D
Order code  
DS  
DS(on) max  
STW70N65DM6  
650 V  
40 mΩ  
68 A  
Fast-recovery body diode  
3
Lower RDS(on) per area vs previous generation  
Low gate charge, input capacitance and resistance  
100% avalanche tested  
2
1
TO-247  
Extremely high dv/dt ruggedness  
Zener-protected  
D(2, TAB)  
Applications  
G(1)  
Switching applications  
S(3)  
Description  
AM01476v1_tab  
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast-  
recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6  
combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent  
improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors  
available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and  
ZVS phase-shift converters.  
Product status link  
STW70N65DM6  
Product summary  
Order code  
STW70N65DM6  
70N65DM6  
TO-247  
Marking  
Package  
Packing  
Tube  
DS13265 - Rev 3 - July 2020  
For further information contact your local STMicroelectronics sales office.  
www.st.com  

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