5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247AC |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.023 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AC |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 350 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STW75N20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO-22 |
|
| STW75N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、32 mOhm典型值、72 A MDmesh DM6功率MOSFET，T |
|
| STW75N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、32 mOhm典型值、72 A MDmesh M6功率MOSFET，TO |
|
| STW75N60M6-4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、32 mOhm典型值、72 A MDmesh M6功率MOSFET，TO |
|
| STW75N65DM6-4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、33 mOhm典型值、75 A MDmesh DM6功率MOSFET，T |
|
| STW75NF20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 200V - 0.028ヘ - 75A - D2PAK - TO-22 |
|
| STW75NF30 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 300 V, 0.037 Ω, 60 A, TO-247 low g |
|
| STW77N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.033 ohm, 69 A, MDmesh V Power MOSFET TO-247 |
|
| STW78N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道650 V、0.024 Ohm典型值、69 A MDmesh M5功率MOSF |
|
| STW7N105K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道1050 V、1.4 Ohm典型值、4 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
