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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 89K |  |
| 描述 | ||
| N - CHANNEL 1000V - 2.3ohm - 5.4A - TO-247 PowerMESH MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | TO-247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 373 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.4 A | 最大漏源导通电阻： | 2.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 21 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STW6NB90 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 900V - 1.7ohm - 6.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET |
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| STW6NC90 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-P |
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| STW6NC90Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-P |
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| STW6NK70Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 700V - 1.5Ω - 5A - TO-220/TO-220FP |
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| STW70N10F4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET⢠|
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| STW70N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、37 mOhm典型值、66 A MDmesh DM2功率MOSFET，T |
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| STW70N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、36 mOhm典型值、62 A MDmesh DM6功率MOSFET，T |
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| STW70N60DM6-4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、36 mOhm典型值、62 A MDmesh DM6功率MOSFET，T |
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| STW70N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.031 Ohm典型值、68 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STW70N60M2-4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.031 Ohm典型值、68 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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