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STW70N60DM2

更新时间： 2023-12-20 18:44:33

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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13页	469K
描述
N沟道600 V、37 mOhm典型值、66 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装

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STW70N60DM2 数据手册

STW70N60DM2

Datasheet

N-channel 600 V, 37 mΩ typ., 66 A MDmesh™ DM2

Power MOSFET in a TO-247 package

Features

DS(on)

max.

TOT

Order code

STW70N60DM2

600 V

42 mΩ

66 A

446 W

•

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

100% avalanche tested

TO-247

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

D(2, TAB)

Applications

•

Switching applications

G(1)

Description

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-

recovery diode series. It offers very low recovery charge (Q_rr) and time (t_rr) combined

with low R_DS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency

converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

S(3)

AM01475V1

Product status link

STW70N60DM2

Product summary

Order code

Marking

STW70N60DM2

70N60DM2

TO-247

Package

Packing

Tube

DS10558 - Rev 5 - November 2018

For further information contact your local STMicroelectronics sales office.

www.st.com

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