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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW6NC90Z
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STW6NC90Z

更新时间： 2024-01-24 17:19:46
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 246K
描述
N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

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STW6NC90Z 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.74
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.2 A最大漏极电流 (ID)：5.2 A
最大漏源导通电阻：2.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：21 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STW6NC90Z 数据手册

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STW6NC90Z  
N-CHANNEL 900V - 2.1Ω - 5.2A TO-247  
Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STW6NC90Z  
900 V  
< 2.5 Ω  
5.2A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 2.1Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
TO-247  
DESCRIPTION  
The third generation of MESH OVERLAY™ Power  
MOSFETs for very high voltage exhibits unsur-  
passed on-resistance per unit area while integrating  
back-to-back Zener diodes between gate and  
source. Such arrangement gives extra ESD capabil-  
ity with higher ruggedness performance as request-  
ed by a large variety of single-switch applications.  
APPLICATIONS  
■
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,  
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION  
WELDING EQUIPMENT  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
900  
900  
±25  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
5.2  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
3.3  
A
D
C
I
(1)  
Drain Current (pulsed)  
21  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
160  
1.52  
±50  
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
mA  
KV  
V/ns  
°C  
°C  
I
Gate-source Current (*)  
GS  
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
4
ESD(G-S)  
dv/dt  
3
T
–65 to 150  
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
150  
j
(*) Limited by maximum temperature allowed  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤5.2A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
October 2000  
1/8  
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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