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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247AC | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 700 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AC |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER/MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STW70N10F4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET⢠|
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| STW70N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、37 mOhm典型值、66 A MDmesh DM2功率MOSFET，T |
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| STW70N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、36 mOhm典型值、62 A MDmesh DM6功率MOSFET，T |
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| STW70N60DM6-4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、36 mOhm典型值、62 A MDmesh DM6功率MOSFET，T |
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| STW70N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.031 Ohm典型值、68 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STW70N60M2-4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.031 Ohm典型值、68 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STW70N65DM6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、360 mOhm典型值、68 A MDmesh DM6功率MOSFET， |
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| STW70N65DM6-4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package |
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| STW70N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.039 Ohm典型值、63 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STW72N60DM2AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道600 V、37 mOhm典型值、66 A MDmesh DM2功率MOSFE |
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