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STW6NA80

更新时间： 2024-11-27 22:14:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 140K
描述
N - CHANNEL 800V - 1.8ohm - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR

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STW6NA80 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247
包装说明：TO-247, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.4 A最大漏极电流 (ID)：5.4 A
最大漏源导通电阻：2.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：22 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STW6NA80 数据手册

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STW6NA80  
STH6NA80FI  
N - CHANNEL 800V - 1.8  
Ω
- 5.4A - TO-247/ISOWATT218  
FAST POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STW6NA80  
STH6NA80FI  
800 V  
800 V  
< 2.2 Ω  
< 2.2  
Ω
5.4 A  
3.4 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 1.8  
Ω
AVALANCE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
3
3
2
2
VERY HIGH CURRENT CAPABILITY  
APPLICATIONORIENTED  
1
1
CHARACTERIZATION  
TO-247  
ISOWATT218  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
REGULATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STW6NA80 STH6NA80FI  
Unit  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k  
Gate-source Voltage  
800  
800  
V
V
)
Ω
± 30  
V
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
5.4  
3.4  
22  
A
3.4  
2.1  
22  
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
A
I
DM(• )  
Drain Current (pulsed)  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
150  
1.2  
W
W/oC  
60  
Derating Factor  
0.48  
4000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
V
-65 to 150  
150  
oC  
oC  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
October 1998  
1234567...10

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与STW6NA80相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STW6NA90 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STW6NB100 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 1000V - 2.3ohm - 5.4A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW6NB90 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 900V - 1.7ohm - 6.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW6NC90 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-P
STW6NC90Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-P
STW6NK70Z STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 700V - 1.5Ω - 5A - TO-220/TO-220FP
STW70N10F4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET™
STW70N60DM2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、37 mOhm典型值、66 A MDmesh DM2功率MOSFET，T
STW70N60DM6 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、36 mOhm典型值、62 A MDmesh DM6功率MOSFET，T
STW70N60DM6-4 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、36 mOhm典型值、62 A MDmesh DM6功率MOSFET，T

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