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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 0.79 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 980 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STB140NF55T4 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A TO-220/D2PAK STripFET II POWER MOSFET |
|
| STP85NF55 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 55V - 0.0062 ohm - 80A D2PAK/TO-220 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB85NF55T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
|
| STB85NS04Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
60A, 33V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, I2PAK, 3 PIN |
|
| STB85NS04Z-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
80A, 33V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, I2PAK-3 |
|
| STB85NS04ZT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
80A, 33V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
|
| STB86600 | AXIOMTEK |
获取价格 |
VGA and LCD supported |
|
| STB86600_14 | AXIOMTEK |
获取价格 |
VGA and LCD supported |
|
| STB86600VEA | AXIOMTEK |
获取价格 |
VGA and LCD supported |
|
| STB8N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.56 Ω, 7 A MDmesh? V Power |
|
| STB8N90K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道900 V、0.60 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET，D2 |
|
| STB8NA50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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