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STB8NM60

更新时间： 2024-09-14 22:24:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
16页 493K
描述
N-CHANNEL 650V Tjmax-0.9ohm-8A TO-220/FP/D/IPAK/D2PAK STripFET II MOSFET

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STB8NM60 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB8NM60 数据手册

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STP8NM60 - STP8NM60FP  
STB8NM60 - STD5NM60 - STD5NM60-1  
N-CHANNEL 650V@Tjmax-0.9Ω-8A TO-220/FP/D/IPAK/D²PAK  
STripFET™ II MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1: Package  
TYPE  
V
R
I
D
Pw  
DSS  
DS(on)  
STP8NM60  
STP8NM60FP  
STD5NM60  
STD5NM60-1  
STB8NM60  
650 V  
650 V  
650 V  
650 V  
650 V  
< 1 Ω  
< 1 Ω  
< 1 Ω  
< 1 Ω  
< 1 Ω  
8 A  
8 A(*)  
5 A  
5 A  
5 A  
100 W  
30 W  
96 W  
96 W  
96 W  
3
2
1
TO-220  
TO-220FP  
■ TYPICAL R (on) = 0.9Ω  
DS  
■ HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
■ 100% AVALANCHE TESTED  
■ LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
3
1
²
D PAK  
3
1
3
■ LOW GATE INPUT RESISTANCE  
2
1
DPAK  
IPAK  
DESCRIPTION  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET  
technology that associates the Multiple Drain pro-  
cess with the Company’s PowerMESH™ horizon-  
tal layout. The resulting product has an  
outstanding low on-resistance, impressively high  
dv/dt and excellent avalanche characteristics. The  
adoption of the Company’s proprietary strip tech-  
nique yields overall dynamic performance that is  
significantly better than that of similar completi-  
tion’s products.  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ family is very suitable for increase  
the power density of high voltage converters allow-  
ing system miniaturization and higher efficiencies.  
Table 2: Order Codes  
Sales Type  
STP8NM60  
STP8NM60FP  
STD5NM60  
STD5NM60-1  
STB8NM60  
Marking  
P8NM60  
P8NM60FP  
D5NM60  
D5NM60  
B8NM60  
Package  
TO-220  
TO-220FP  
DPAK  
Packaging  
TUBE  
TUBE  
TAPE & REEL  
TUBE  
IPAK  
D²PAK  
TAPE & REEL  
Rev. 2  
April 2005  
1/16  
1234567...16

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与STB8NM60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB8NM60D STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 0.9ヘ - 8A - TO-220/D2PAK Fas
STB8NM60N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power
STB8NM60T4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 Ω, 8 A MDmesh™ Pow
STB8NS25 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A D2PAK MESH OVER
STB8NS25T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB
STB90N55F4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		90A, 55V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-
STB90NF03 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 30V - 0.0065 ohm - 95A DPAK STripF
STB90NF03L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.0056ohm - 90A D2PAK LOW GAT
STB90NF03L-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 30V - 0.0056ohm - 90A TO-220/I2PAK
STB90NF3LL STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.0048 ohm - 80A D2PAK LOW GA

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