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STB8NS25

更新时间： 2024-11-26 22:24:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 430K
描述
N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET

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STB8NS25 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.74Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.45 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：80 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB8NS25 数据手册

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STB8NS25  
2
N-CHANNEL 250V - 0.38Ω - 8A D PAK  
MESH OVERLAY™ MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STB8NS25  
250 V  
< 0.45 Ω  
8 A  
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.38 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
3
1
DESCRIPTION  
2
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performance. The new patented STrip layout cou-  
pled with the Company’s proprietary edge termina-  
tion structure, makes it suitable in coverters for  
lighting applications.  
D PAK  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
250  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
250  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
± 20  
V
I (*)  
D
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
8
A
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
5
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
32  
80  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.64  
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
5
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1) I ≤ 8A, di/dt≤300 A/µs, V ≤ V  
, Tj≤T  
(BR)DSS jMAX  
SD  
DD  
(*)Limited only by maximum temperature allowed  
July 2001  
1/9  
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与STB8NS25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB8NS25T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB
STB90N55F4 STMICROELECTRONICS

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 		90A, 55V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-
STB90NF03 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.0065 ohm - 95A DPAK STripF
STB90NF03L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 30V - 0.0056ohm - 90A D2PAK LOW GAT
STB90NF03L-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 30V - 0.0056ohm - 90A TO-220/I2PAK
STB90NF3LL STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 30V - 0.0048 ohm - 80A D2PAK LOW GA
STB90NF3LLT4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		80A, 30V, 0.009ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
STB95N3LLH6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 30 V, 0.0037 Ω , 80 A, D2PAK, DPAK
STB95N4F3 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 40 V, 5.0 mOhm, 80 A, D2PAK STripFET(TM) III Power MOSFET
STB95N4LF3 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		80A, 40V, 0.009ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-

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