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STB8NM60D

更新时间: 2024-11-25 04:02:11
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 二极管
页数 文件大小 规格书
13页 736K
描述
N-CHANNEL 600V - 0.9ヘ - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh⑩ Power MOSFET

STB8NM60D 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:8.53其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):200 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A
最大漏极电流 (ID):8 A最大漏源导通电阻:1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):245
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):32 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STB8NM60D 数据手册

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STB8NM60D  
STP8NM60D  
N-CHANNEL 600V - 0.9- 8A - TO-220/D2PAK  
Fast Diode MDmesh™ Power MOSFET  
General features  
Type  
V
R
I
P
TOT  
DSS  
DS(on)  
D
STB8NM60D  
STP8NM60D  
600V  
600V  
< 1.0Ω  
< 1.0Ω  
8A  
8A  
100W  
100W  
High dv/dt and avalanche capabilities  
100% avalanche rated  
3
3
2
1
1
D²PAK  
TO-220  
Low input capacitance and gate charge  
Low gate input resistance  
Fast internal recovery diode  
Description  
The FDmesh™ associates all advantages of  
reduced on-resistance and fast switching with an  
intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore  
strongly recommended for bridge topologies, in  
particular ZVS phase-shift converters  
Internal schematic diagram  
Applications  
The MDmesh™ family is very suitable for  
increasing power density of high voltage  
converters allowing system miniaturization and  
higher efficiencies.  
Order codes  
Sales Type  
Marking  
Package  
Packaging  
STB8NM60D  
STP8NM60D  
B8NM60D  
P8NM60D  
D²PAK  
TAPE & REEL  
TUBE  
TO-220  
February 2006  
Rev2  
1/13  
www.st.com  
13  

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