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STB95N4LF3

更新时间： 2024-09-16 21:12:47

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	1108K
描述
80A, 40V, 0.009ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3

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STB95N4LF3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STB95N4LF3 数据手册

STB95N4LF3

STD95N4LF3

N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A DPAK, D²PAK

STripFET™ III Power MOSFET

Features

R_DS(on)

max

Type

V_DSS

I_D

P_D

STD95N4LF3

40 V < 6.0 mΩ 80 A⁽¹⁾110 W

STB95N4LF3 ⁽²⁾40 V < 6.0 mΩ 80 A 110 W

1. Value limited by wire bonding

2. All data which refers solely to the D²PAK package is

preliminary

D²PAK

DPAK

■ 100% avalanche tested

■ Logic level drive

Applications

■ Switching application

Figure 1.

Internal schematic diagram

– Automotive

D (TAB or 2)

Description

This STripFET™ III Power MOSFET technology is

among the latest improvements, which have been

especially tailored to minimize on-state resistance

providing superior switching performance.

G(1)

S(3)

AM01474v1

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STD95N4LF3

STB95N4LF3

95N4LF3

DPAK

Tape and reel

D²PAK

July 2009

Doc ID 15372 Rev 2

1/16

www.st.com

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STB95NF03	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 30V - 0.0065 ohm - 95A DPAK STripF
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STB9K10P	SSDI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 9000W, 7.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
STB9K10PR	SSDI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 9000W, 7.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
STB9K11P	SSDI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 9000W, 8.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,