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STB90N55F4

更新时间： 2024-09-15 21:09:51

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	549K
描述
90A, 55V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3

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STB90N55F4 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	90 A
最大漏极电流 (ID)：	90 A	最大漏源导通电阻：	0.008 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STB90N55F4 数据手册

STB90N55F4

STP90N55F4

N-channel 55 V, 0.0064 Ω, 90 A TO-220, D²PAK

STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET

Preliminary data

Features

Type

V_DSS

R_DS(on)max

I_D

STB90N55F4

STP90N55F4

55 V

< 0.008 Ω

90 A

■ Exceptional dv/dt capability

■ Extremely low on-resistance R

■ 100% avalanche tested

DS(on)

TO-220

D²PAK

Application

■ Switching applications

Figure 1.

Internal schematic diagram

Description

This STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET

technology is among the latest improvements,

which have been especially tailored to minimize

on-state resistance, with a new gate structure,

providing superior switching performance.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

D²PAK

TO-220

Packaging

STB90N55F4

STP90N55F4

90N55F4

Tape and reel

Tube

June 2009

Doc ID 15608 Rev 1

1/12

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

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STB95NF03	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 30V - 0.0065 ohm - 95A DPAK STripF
STB95NF03T4	STMICROELECTRONICS	获取价格	80A, 30V, 0.007ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3