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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB90NF3LL
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STB90NF3LL

更新时间： 2024-09-14 22:31:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅
页数 文件大小 规格书
7页 178K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.0048 ohm - 80A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STB90NF3LL 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.009 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB90NF3LL 数据手册

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STB90NF3LL  
2
N-CHANNEL 30V - 0.0048 Ω - 80A D PAK  
LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
V
DSS  
R
I
D
TYPE  
DS(on)  
STB90NF3LL  
30 V  
< 0.0055 Ω  
80 A(#)  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.0048 Ω @ 10 V  
DS  
OPTIMAL R  
x Qg TRADE-OFF @ 4.5 V  
DS(on)  
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
3
2
SURFACE-MOUNTING D PAK (TO-263)  
1
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR  
IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”)  
2
D PAK  
TO-263  
(Suffix “T4”)  
DESCRIPTION  
This application specific Power MOSFET is the third  
genaration of STMicroelectronis unique "Single Feature  
Size™" strip-based process. The resulting transistor  
shows the best trade-off between on-resistance and gate  
charge. When used as high and low side in buck  
regulators, it gives the best performance in terms of both  
conduction and switching losses. This is extremely  
important for motherboards where fast switching and  
high efficiency are of paramount importance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY CPU CORE DC/DC  
CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 16  
80  
V
GS  
I (#)  
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
80  
A
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
320  
200  
1.3  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
W/°C  
T
Storage Temperature  
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(#) Value limited by wire bonding  
September 2002  
1/7  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567

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与STB90NF3LL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB90NF3LLT4 STMICROELECTRONICS

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 		80A, 30V, 0.009ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
STB95N3LLH6 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30 V, 0.0037 Ω , 80 A, D2PAK, DPAK
STB95N4F3 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 40 V, 5.0 mOhm, 80 A, D2PAK STripFET(TM) III Power MOSFET
STB95N4LF3 STMICROELECTRONICS

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 		80A, 40V, 0.009ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-
STB95NF03 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.0065 ohm - 95A DPAK STripF
STB95NF03T4 STMICROELECTRONICS

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 		80A, 30V, 0.007ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
STB97300 AXIOMTEK

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 		VGA and LCD supported
STB97300_14 AXIOMTEK

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 		PC/104 Form Factor STX Baseboard with Multiple I/O Features
STB97300VEA AXIOMTEK

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 		PC/104 Form Factor STX Baseboard with Multiple I/O Features
STB9K100P SSDI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 9000W, 75V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

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