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STB90NF03L

更新时间： 2024-09-14 22:07:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅
页数 文件大小 规格书
8页 249K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.0056ohm - 90A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET

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STB90NF03L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：90 A最大漏极电流 (ID)：90 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

STB90NF03L 数据手册

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STB90NF03L  
2
N-CHANNEL 30V - 0.0056Ω - 90A D PAK  
LOW GATE CHARGE STripFET™ POWER MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STB90NF03L  
30 V  
< 0.0065 Ω  
90 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.0056 Ω  
DS  
TYPICAL Q = 35 nC @ 5V  
g
OPTIMAL R (on) x Q TRADE-OFF  
DS  
g
3
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
1
DESCRIPTION  
2
D PAK  
This application specific Power Mosfet is the third  
generation of STMicroelectronics unique “Single  
Feature Size™” strip-based process. The resulting  
transistor shows the best trade-off between on-re-  
sistance and gate charge. When used as high and  
low side in buck regulators, it gives the best perfor-  
mance in terms of both conduction and switching  
losses. This is extremely important for mother-  
boards where fast switching and high efficiency are  
of paramount importance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY CPU CORE DC/DC  
CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 18  
90  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
65  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
360  
150  
0.73  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
W/°C  
TOT  
C
Derating Factor  
T
Storage Temperature  
stg  
– 55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(●) Pulse width limited by safe operating area  
October 2001  
1/8  
12345678

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与STB90NF03L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB90NF03L-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.0056ohm - 90A TO-220/I2PAK
STB90NF3LL STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.0048 ohm - 80A D2PAK LOW GA
STB90NF3LLT4 STMICROELECTRONICS

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 		80A, 30V, 0.009ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
STB95N3LLH6 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30 V, 0.0037 Ω , 80 A, D2PAK, DPAK
STB95N4F3 STMICROELECTRONICS

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 		PC/104 Form Factor STX Baseboard with Multiple I/O Features

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