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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB140NF55T4
STB140NF55T4 PDF预览

STB140NF55T4

更新时间： 2024-11-25 09:01:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
页数 文件大小 规格书
11页 281K
描述
N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A TO-220/D2PAK STripFET II POWER MOSFET

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STB140NF55T4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.29Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：180079
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：TO-XXX (Inc. DPAK)Samacsys Footprint Name：D2PAK_STD_ST
Samacsys Released Date：2015-11-09 14:24:38Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：1.3 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB140NF55T4 数据手册

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STB140NF55  
STP140NF55  
N-CHANNEL 55V - 0.0065 Ω - 80A TO-220/D²PAK  
STripFET™ II POWER MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1:Package  
V
DSS  
R
I
D
TYPE  
DS(on)  
STB140NF55  
STP140NF55  
55 V  
55 V  
< 0.008 Ω  
< 0.008 Ω  
80 A  
80 A  
■
TYPICAL RDS(on) = 0.0065 Ω  
DESCRIPTION  
This Power Mosfet is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
3
1
3
2
2
D PAK  
TO-263  
1
(Suffix “T4”)  
TO-220  
APPLICATIONS  
■
MOTOR CONTROL  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
■
HIGH CURRENT, SWITCHING  
APPLICATIONS  
■
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT  
Table 2: Order Codes  
Part Number  
STB140NF55T4  
STP140NF55  
MARKING  
B140NF55  
P140NF55  
PACKAGE  
D²PAK  
TO-220  
PACKAGING  
TAPE & REEL  
TUBE  
Table 3:ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
55  
± 20  
80  
GS  
V
Gate- source Voltage  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
80  
A
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
320  
300  
2
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
(1)  
dv/dt  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
10  
E
(2)  
1.3  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(**) Current Limited by Package  
(1) I ≤80A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
(2) Starting T = 25 C, I = 40A, V = 30V  
j D DD  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
o
December 2004  
1/11  
Rev. 2  
1234567...11

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STB140NF55T4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB85NF55LT4 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 55 V, 0.0060 Ω, 80 A, TO-220, D2PAK
STP85NF55 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 55V - 0.0062 ohm - 80A D2PAK/TO-220

与STB140NF55T4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB140NF75 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 75V - 0.0065 ohm -120A DPAK/IPAK/
STB140NF75-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 75V - 0.0065 ohm -120A DPAK/IPAK/
STB140NF75T4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 75V - 0.0065 - 120A - D2PAK/I2/TO-220 STripFET III Power MOSFET
STB141NF55 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK
STB141NF55-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK
STB14N80K5 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道800 V、0.400 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，
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 		N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 15A TO-220/TO-22
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 		N-channel 100V - 0.115ヘ - 15A - D2PAK/TO-220/
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 		N-channel 100V - 0.115ヘ - 15A - D2PAK/TO-220/
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