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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB14NF10
STB14NF10 PDF预览

STB14NF10

更新时间： 2024-11-24 22:16:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅
页数 文件大小 规格书
11页 466K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 15A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STB14NF10 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
雪崩能效等级（Eas）：70 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.13 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB14NF10 数据手册

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STB14NF10  
STP14NF10 STP14NF10FP  
2
N-CHANNEL 100V - 0.115 Ω - 15A TO-220/TO-220FP/D PAK  
LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STB14NF10  
STP14NF10  
STP14NF10FP  
100 V  
100 V  
100 V  
<0.13 Ω  
<0.13 Ω  
<0.13 Ω  
15 A  
15 A  
10 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.115 Ω  
DS  
3
3
1
2
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
1
2
D PAK  
TO-263  
TO-220FP  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
(Suffix “T4”)  
2
■
SURFACE-MOUNTING D PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR  
IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”)  
3
2
1
TO-220  
DESCRIPTION  
This MOSFET series realized with STMicroelectronics  
unique STripFET™ process has specifically been de-  
signed to minimize input capacitance and gate charge. It  
is therefore suitable as primary switch in advanced high-  
efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for  
Telecom and Computer applications. It is also intended for  
any applications with low gate drive requirements.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
■
UPS AND MOTOR CONTROL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STB14NF10  
STP14NF10FP  
STP14NF10  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
100  
100  
± 20  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
15  
10  
60  
60  
0.4  
10  
6.3  
40  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
25  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.17  
W/°C  
V/ns  
mJ  
V
(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
9
dv/dt  
E
70  
AS  
V
ISO  
------  
2000  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) I ≤14A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
SD  
DD  
(BR)DSS j JMAX  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 15A, V = 50V  
j
D
DD  
June 2002  
1/11  
.
1234567...11

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与STB14NF10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB14NF10_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100V - 0.115ヘ - 15A - D2PAK/TO-220/
STB14NF10T4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100V - 0.115ヘ - 15A - D2PAK/TO-220/
STB14NK50Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2P
STB14NK50Z-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2P
STB14NK50ZT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2P
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 		N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power
STB14NK60Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power
STB14NK60Z-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power
STB14NK60ZT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power
STB14NM50N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 500 V, 0.28 Ω typ., 12 A MDmesh™

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