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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB140NF75-1
STB140NF75-1 PDF预览

STB140NF75-1

更新时间： 2024-11-24 22:29:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
14页 523K
描述
N-CHANNEL 75V - 0.0065 ohm -120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STB140NF75-1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-262AB
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.72Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：750 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：120 A
最大漏极电流 (ID)：120 A最大漏源导通电阻：0.0075 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AB
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：310 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB140NF75-1 数据手册

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STB140NF75 STP140NF75  
STB140NF75-1  
N-CHANNEL 75V - 0.0065 Ω -120A D²PAK/I²PAK/TO-220  
STripFET™ II POWER MOSFET  
AUTOMOTIVE SPECIFIC  
V
DSS  
R
I
D
TYPE  
DS(on)  
STB140NF75  
STP140NF75  
STB140NF75-1  
75 V  
75 V  
75 V  
<0.0075 Ω  
<0.0075 Ω  
<0.0075 Ω  
120 A(**)  
120 A(**)  
120 A(**)  
■
■
TYPICAL R (on) = 0.0065 Ω  
DS  
3
3
2
1
1
²
SURFACE-MOUNTING D PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE  
2
2
D PAK  
TO-263  
(Suffix “T4”)  
I PAK  
TO-262  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
3
2
1
TO-220  
less critical alignment steps therefore  
remarkable manufacturing reproducibility.  
a
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
AUTOMOTIVE 42V BATTERY DRIVERS  
Ordering Information  
SALES TYPE  
STB140NF75T4  
STP140NF75  
MARKING  
B140NF75  
P140NF75  
B140NF75  
PACKAGE  
D PAK  
PACKAGING  
TAPE & REEL  
2
TO-220  
TUBE  
TUBE  
2
STB140NF75-1  
I PAK  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
75  
75  
V
V
DS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
± 20  
120  
100  
480  
310  
2.08  
10  
V
A
A
A
GS  
I (**)  
D
C
I
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
dv/dt  
E
750  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(**) Current Limited by Package  
(1) I ≤120A, di/dt ≤400A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
j
o
(2) Starting T = 25 C, I = 60 A, V = 30V  
j
D
DD  
December 2002  
1/14  
1234567...14

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与STB140NF75-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB140NF75T4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 75V - 0.0065 - 120A - D2PAK/I2/TO-220 STripFET III Power MOSFET
STB141NF55 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK
STB141NF55-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK
STB14N80K5 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道800 V、0.400 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，
STB14NF10 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 15A TO-220/TO-22
STB14NF10_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100V - 0.115ヘ - 15A - D2PAK/TO-220/
STB14NF10T4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100V - 0.115ヘ - 15A - D2PAK/TO-220/
STB14NK50Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2P
STB14NK50Z-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2P
STB14NK50ZT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2P

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