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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262AA | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 550 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 33 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 215 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB85NS04ZT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
80A, 33V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
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| STB86600 | AXIOMTEK |
获取价格 |
VGA and LCD supported |
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| STB86600_14 | AXIOMTEK |
获取价格 |
VGA and LCD supported |
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| STB86600VEA | AXIOMTEK |
获取价格 |
VGA and LCD supported |
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| STB8N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.56 Ω, 7 A MDmesh? V Power |
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| STB8N90K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道900 V、0.60 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET，D2 |
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| STB8NA50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STB8NA50-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-262VAR |
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| STB8NC50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A D2PAK PowerMesh⑩ |
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| STB8NC50-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP/ |
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