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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB8NC50-1
STB8NC50-1 PDF预览

STB8NC50-1

更新时间： 2024-09-14 22:24:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 354K
描述
N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET

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STB8NC50-1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-262AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.74
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：600 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.85 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：135 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB8NC50-1 数据手册

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STP8NC50 - STP8NC50FP  
STB8NC50-1  
N-CHANNEL 500V - 0.7Ω - 8A TO-220/TO-220FP/I2PAK  
PowerMesh™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP(B)8NC50(-1)  
STP8NC50FP  
500 V  
500 V  
< 0.85 Ω  
< 0.85 Ω  
8 A  
8 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.7 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
TO-220  
TO-220FP  
3
2
1
DESCRIPTION  
I²PAK  
The PowerMESH™II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP(B)8NC50(-1) STP8NC50FP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
500  
500  
±30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
8
5.4  
8(*)  
5.4(*)  
32(*)  
40  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
32  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
135  
1.075  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.32  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
3
V
-
2000  
ISO  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(*) Limited only by maximum temperature allowed  
December 2000  
(1)I ≤8A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
1/10  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB8NC50T4 ETC

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