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STB8NC70Z-1

更新时间： 2024-09-14 22:21:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
13页 534K
描述
N-CHANNEL 700V - 0.90ohm - 6.8A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

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STB8NC70Z-1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-262
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.74
雪崩能效等级（Eas）：354 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：700 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.8 A
最大漏极电流 (ID)：6.8 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：135 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：27 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB8NC70Z-1 数据手册

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STP8NC70Z - STP8NC70ZFP  
STB8NC70Z - STB8NC70Z-1  
N-CHANNEL 700V - 0.90Ω - 6.8A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK  
Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP8NC70Z/FP  
STB8NC70Z/-1  
700V  
700V  
< 1.2 Ω  
< 1.2 Ω  
6.8 A  
6.8 A  
3
1
■
■
TYPICAL R (on) = 0.9 Ω  
DS  
2
3
D PAK  
2
EXTREMELY HIGH dv/dt AND CAPABILITY  
GATE-TO- SOURCE ZENER DIODES  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE  
GATE CHARGE MINIMIZED  
1
TO-220  
TO-220FP  
■
■
■
3
2
1
2
DESCRIPTION  
I PAK  
The third generation of MESH OVERLAY™ Power  
MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed  
on-resistance per unit area while integrating back-to-  
back Zener diodes between gate and source. Such ar-  
rangement gives extra ESD capability with higher rug-  
gedness performance as requested by a large variety  
of single-switch applications.  
APPLICATIONS  
■
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,  
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION  
WELDING EQUIPMENT  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP(B)8NC70Z(-1) STP8NC70ZFP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
700  
700  
± 25  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
6.8  
4.3  
6.8(*)  
4.3(*)  
27(*)  
40  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
27  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
135  
1.08  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.32  
W/°C  
mA  
KV  
V/ns  
V
I
Gate-source Current (DC)  
±50  
3
GS  
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Winthstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
ESD(G-S)  
dv/dt(1)  
3
V
--  
2000  
ISO  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
December 2002  
(1)I ≤6.8A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(*)Pulse width Limited by maximum temperature allowed  
1/13  
.
1234567...13

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与STB8NC70Z-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB8NC70ZT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700V 0.90 OHM 6.8A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOS
STB8NM60 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 650V Tjmax-0.9ohm-8A TO-220/FP/D/IPAK/D2PAK STripFET II MOSFET
STB8NM60D STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 0.9ヘ - 8A - TO-220/D2PAK Fas
STB8NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power
STB8NM60T4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 Ω, 8 A MDmesh™ Pow
STB8NS25 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A D2PAK MESH OVER
STB8NS25T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB
STB90N55F4 STMICROELECTRONICS

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 		90A, 55V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-
STB90NF03 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.0065 ohm - 95A DPAK STripF
STB90NF03L STMICROELECTRONICS

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