是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.36 |
雪崩能效等级(Eas): | 350 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A | 最大漏极电流 (ID): | 8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.85 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 32 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF840ASPBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB8NA50-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-262VAR | |
STB8NC50 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A D2PAK PowerMesh⑩ | |
STB8NC50-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP/ | |
STB8NC50T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB | |
STB8NC70Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 700V - 0.90ohm - 6.8A TO-220/FP/D2P | |
STB8NC70Z-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 700V - 0.90ohm - 6.8A TO-220/FP/D2P | |
STB8NC70ZT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 700V 0.90 OHM 6.8A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOS | |
STB8NM60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 650V Tjmax-0.9ohm-8A TO-220/FP/D/IPAK/D2PAK STripFET II MOSFET | |
STB8NM60D | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 0.9ヘ - 8A - TO-220/D2PAK Fas | |
STB8NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power |