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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 16页 | 681K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.78 | 雪崩能效等级（Eas）： | 350 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22 A | 最大漏极电流 (ID)： | 22 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 88 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB25NM50N_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500V - 0.11Ω - 22A - TO-220 /FP- I2 |
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| STB25NM50N-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
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| STB25NM50NT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
22A, 500V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3 |
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| STB25NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
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| STB25NM60N-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
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| STB25NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.13 Ω - 21 A FDmesh™ II Po |
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| STB25NM60NT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
20A, 600V, 0.17ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3 |
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| STB25NM60NX | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh™ II P |
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| STB26N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，D |
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| STB26NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-2 |
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