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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB25NM60N
STB25NM60N PDF预览

STB25NM60N

更新时间： 2024-11-01 21:55:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 277K
描述
N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

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STB25NM60N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
雪崩能效等级（Eas）：850 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：21 A
最大漏源导通电阻：0.16 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：84 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB25NM60N 数据手册

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STP25NM60N - STF25NM60N  
STB25NM60N/-1 - STW25NM60N  
N-CHANNEL 600V 0.140Ω-20A TO-220/FP/D²/I²PAK/TO-247  
SECOND GENERATION MDmesh™ MOSFET  
PRODUCT PREVIEW  
Table 1: General Features  
Figure 1: Package  
TYPE  
V
DSS  
(@Tjmax)  
R
I
D
DS(on)  
STB25NM60N-1  
STF25NM60N  
STP25NM60N  
STW25NM60N  
STB25NM60N  
650 V  
650 V  
650 V  
650 V  
650 V  
< 0.170 Ω  
< 0.170 Ω  
< 0.170 Ω  
< 0.170 Ω  
< 0.170 Ω  
20 A  
20(*) A  
20 A  
20 A  
20 A  
3
3
2
1
2
1
TO-220  
TO-220FP  
■ WORLD’S LOWEST ON RESISTANCE  
■ TYPICAL R (on) = 0.140 Ω  
■ HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
■ 100% AVALANCHE TESTED  
■ LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
3
DS  
1
D²PAK  
3
2
1
3
2
1
²
I PAK  
■ LOW GATE INPUT RESISTANCE  
TO-247  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
DESCRIPTION  
The STP25NM60N is realized with the second  
generation of MDmesh Technology. This revolu-  
tionary MOSFET associates a new vertical struc-  
ture to the Company's strip layout to yield the  
world's lowest on-resistance and gate charge. It is  
therefore suitable for the most demanding high ef-  
ficiency converters  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ II family is very suitable for in-  
crease the power density of high voltage convert-  
ers allowing system miniaturization and higher  
efficiencies.  
Table 2: Order Code  
SALES TYPE  
STB25NM60N-1  
STF25NM60N  
STP25NM60N  
STW25NM60N  
STB25NM60N  
MARKING  
B25NM60N  
F25NM60N  
P25NM60N  
W25NM60N  
B25NM60N  
PACKAGE  
I²PAK  
PACKAGING  
TUBE  
TO-220FP  
TO-220  
TO-247  
D²PAK  
TUBE  
TUBE  
TUBE  
TAPE & REEL  
Rev. 4  
June 2005  
1/12  
This is preliminary information on a new product now in development. Details are subject to change without notice.  
1234567...12

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STB25NM60N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB26NM60N STMICROELECTRONICS

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STB23NM60ND STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK -
STB25NM60ND STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 600 V - 0.13 Ω - 21 A FDmesh™ II Po

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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STB25NM60ND STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V - 0.13 Ω - 21 A FDmesh™ II Po
STB25NM60NT4 STMICROELECTRONICS

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 		20A, 600V, 0.17ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
STB25NM60NX STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh™ II P
STB26N60M2 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，D
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STB270N04 STMICROELECTRONICS

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STB270N04-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 40V - 2.1m-ohm - 160A - TO-220 - D-2PAK - I-2PAK STripFET-TM Power MOSFET
STB270N4F3 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 40V - 2.1m ohm - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFE TM Power MOSFET
STB270N4F3_08 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 40 V - 2.1 mΩ - 160 A - TO-220 - D2

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