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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB25NM50N-1
STB25NM50N-1 PDF预览

STB25NM50N-1

更新时间： 2024-11-26 22:07:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
16页 681K
描述
N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

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STB25NM50N-1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-262AA包装说明：TO-262, I2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：8.62Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：350 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.14 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB25NM50N-1 数据手册

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STP25NM50N - STF25NM50N  
STB25NM50N/-1 - STW25NM50N  
N-CHANNEL 500V 0.11 Ω - 22 A TO-220/FP/D²/I²PAK/TO-247  
SECOND GENERATION MDmesh™ MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1: Package  
TYPE  
V
(@Tj  
)
I
D
R
DS(on)  
DSS  
MAX  
STB25NM50N-1  
STF25NM50N  
STP25NM50N  
STW25NM50N  
STB25NM50N  
550V  
550V  
550V  
550V  
550V  
22 A 0.140 Ω  
22 A(*) 0.140 Ω  
22 A 0.140 Ω  
22 A 0.140 Ω  
22 A 0.140 Ω  
3
3
2
1
2
1
TO-220  
I²PAK  
■ HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
■ 100% AVALANCHE TESTED  
■ LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
3
1
D²PAK  
3
3
2
2
1
1
■ LOW GATE INPUT RESISTANCE  
TO-247  
TO-220FP  
DESCRIPTION  
The STx25NM50N is realized with the second  
generation of MDmesh Technology. This revolu-  
tionary MOSFET associates a new vertical struc-  
ture to the Company's strip layout to yield one of  
the world's lowest on-resistance and gate charge.  
It is therefore suitable for the most demanding high  
efficiency converters  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ II family is very suitable for in-  
creasing power density of high voltage converters  
allowing system miniaturization and higher effi-  
ciencies.  
Table 2: Order Codes  
SALES TYPE  
STP25NM50N  
STF25NM50N  
STB25NM50N-1  
STW25NM50N  
STB25NM50N  
MARKING  
P25NM50N  
F25NM50N  
B25NM50N  
W25NM50N  
B25NM50N  
PACKAGE  
TO-220  
TO-220FP  
I²PAK  
PACKAGING  
TUBE  
TUBE  
TUBE  
TO-247  
D²PAK  
TUBE  
TAPE & REEL  
Rev. 9  
October 2005  
1/16  
1234567...16

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与STB25NM50N-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB25NM50NT4 STMICROELECTRONICS

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 		22A, 500V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
STB25NM60N STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB25NM60N-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB25NM60ND STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V - 0.13 Ω - 21 A FDmesh™ II Po
STB25NM60NT4 STMICROELECTRONICS

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 		20A, 600V, 0.17ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
STB25NM60NX STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh™ II P
STB26N60M2 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，D
STB26NM60N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-2
STB270N04 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 40V - 2.1m-ohm - 160A - TO-220 - D-2PAK - I-2PAK STripFET-TM Power MOSFET
STB270N04-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 40V - 2.1m-ohm - 160A - TO-220 - D-2PAK - I-2PAK STripFET-TM Power MOSFET

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