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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI2311DS-T1-E3
SI2311DS-T1-E3 PDF预览

SI2311DS-T1-E3

更新时间： 2024-11-20 12:28:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 214K
描述
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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SI2311DS-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69Is Samacsys：N
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
峰值回流温度（摄氏度）：260端子面层：Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

SI2311DS-T1-E3 数据手册

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Si2311DS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free Option Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 3.5  
- 2.8  
- 2.0  
• TrenchFET® Power MOSFET  
0.045 at VGS = - 4.5 V  
0.072 at VGS = - 2.5 V  
0.120 at VGS = - 1.8 V  
RoHS  
- 8  
COMPLIANT  
APPLICATIONS  
•
Load Switch  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
3
D
Top View  
Si2311DS (C1)*  
* Marking Code  
Ordering Information: Si2311DS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si2311DS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 8  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 3.5  
- 2.8  
- 3.0  
- 2.4  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 10  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a, b  
- 0.8  
0.96  
0.62  
- 0.6  
0.71  
0.46  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
W
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
100  
Maximum  
130  
Unit  
t ≤ 5 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
140  
175  
°C/W  
RthJF  
60  
75  
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board.  
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 71813  
S-80642-Rev. B, 24-Mar-08  
www.vishay.com  
1
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SI2311DS-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
BSS123TA DIODES

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS138-7-F DIODES

功能相似

 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

与SI2311DS-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI2311DS-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,
SI2312 HTSEMI

获取价格

 		20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI2312 MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2312　 HC

获取价格

 		SOT-23-3L
SI2312 HOTTECH

获取价格

 		SOT-23
SI2312A MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2312A UMW

获取价格

 		漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:6A;栅极-源极阈值电
SI2312B MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2312BDS VISHAY

获取价格

 		N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2312CDS VISHAY

获取价格

 		N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

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