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SI2311DS-T1-E3

更新时间： 2024-09-15 12:28:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	214K
描述
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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SI2311DS-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	260	端子面层：	Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

SI2311DS-T1-E3 数据手册

Si2311DS

Vishay Siliconix

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free Option Available

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

- 3.5

- 2.8

- 2.0

• TrenchFET^®Power MOSFET

0.045 at V_GS= - 4.5 V

0.072 at V_GS= - 2.5 V

0.120 at V_GS= - 1.8 V

RoHS

- 8

COMPLIANT

APPLICATIONS

•

Load Switch

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2311DS (C1)*

* Marking Code

Ordering Information: Si2311DS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si2311DS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

5 s

Steady State

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

- 8

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

- 3.5

- 2.8

- 3.0

- 2.4

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^{a, b}

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

- 10

Continuous Source Current (Diode Conduction)^{a, b}

- 0.8

0.96

0.62

- 0.6

0.71

0.46

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Maximum Power Dissipation^{a, b}

P_D

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

100

Maximum

130

Unit

t ≤ 5 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

R_thJA

Steady State

140

175

°C/W

R_thJF

Notes:

a. Surface Mounted on FR4 board.

b. Pulse width limited by maximum junction temperature.

Document Number: 71813

S-80642-Rev. B, 24-Mar-08

www.vishay.com

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SI2311DS-T1-E3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI2305CDS-T1-GE3	VISHAY	类似代替	P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
BSS123TA	DIODES	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS138-7-F	DIODES	功能相似	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

与SI2311DS-T1-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI2311DS-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
SI2312	HTSEMI	获取价格	20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI2312	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2312	HC	获取价格	SOT-23-3L
SI2312	HOTTECH	获取价格	SOT-23
SI2312A	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2312A	UMW	获取价格	漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:6A;栅极-源极阈值电
SI2312B	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2312BDS	VISHAY	获取价格	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2312CDS	VISHAY	获取价格	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET