是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | , | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.23 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.77 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e0 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.25 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI2314EDS (KI2314EDS) | KEXIN |
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N-Channel MOSFET | |
SI2315 | HC |
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SOT-23 | |
SI2315 | HOTTECH |
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SOT-23 | |
SI2315BDS | VISHAY |
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P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |
SI2315BDS (KI2315BDS) | KEXIN |
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P-Channel MOSFET | |
SI2315BDS-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 3000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET | |
SI2315BDS-T1 | VISHAY |
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P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |
SI2315BDS-T1-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 3000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, T | |
SI2315BDS-T1-GE3 | VISHAY |
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MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | |
SI2315DS | VISHAY |
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P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET |