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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI2305CDS-T1-GE3
SI2305CDS-T1-GE3 PDF预览

SI2305CDS-T1-GE3

更新时间： 2025-08-29 12:26:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
10页 229K
描述
P-Channel 8 V (D-S) MOSFET

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SI2305CDS-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.61Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：184094
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236)
Samacsys Released Date：2015-04-13 16:58:57Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.8 A最大漏极电流 (ID)：4.4 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.7 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI2305CDS-T1-GE3 数据手册

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Si2305CDS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 8 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)d  
Definition  
0.035 at VGS = - 4.5 V  
0.048 at VGS = - 2.5 V  
0.065 at VGS = - 1.8 V  
- 5.8  
- 5.0  
- 4.3  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
- 8  
12 nC  
100 % R Tested  
g
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
TO-236  
(SOT-23)  
•
Load Switch for Portable Devices  
•
DC/DC Converter  
G
S
1
3
2
S
D
G
Top View  
Si2305CDS (N5)*  
* Marking Code  
D
P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si2305CDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 8  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
8
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
- 5.8  
- 4.7  
T
ID  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
- 4.4a, b  
- 3.5a, b  
- 20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TC = 25 °C  
- 1.4  
- 0.8a, b  
1.7  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
1.1  
PD  
W
Maximum Power Dissipation  
0.96a, b  
T
0.62a, b  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambienta, c  
Symbol  
Typical  
Maximum  
130  
Unit  
RthJA  
t ≤ 5 s  
100  
60  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
75  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 5 s.  
c. Maximum under steady state conditions is 175 °C/W.  
d. TC = 25 °C.  
Document Number: 64847  
S10-0720-Rev. C, 29-Mar-10  
www.vishay.com  
1
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SI2305CDS-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI2305DS-T1-GE3 VISHAY

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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SI2305CHE3 MCC

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 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2305DS VISHAY

获取价格

 		P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
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 		TRANSISTOR 3.5 A, 8 V, 0.052 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET
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 		SOT-23

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