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SI2305DS

更新时间： 2024-11-17 22:21:51

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威世 - VISHAY		/
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4页	54K
描述
P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET

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SI2305DS 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	,	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.01
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI2305DS 数据手册

Si2305DS

Vishay Siliconix

P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.052 @ V = –4.5 V

"3.5

0.071 @ V = –2.5 V

–8

0.108 @ V = –1.8 V

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2305DS (A5)*

*Marking Code

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

–8

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

= 25_C

= 70_C

"3.5

"2.8

"12

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

a, b

Continuous Source Current (Diode Conduction)

–1.6

= 25_C

= 70_C

1.25

a, b

Maximum Power Dissipation)

0.8

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

100

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Steady State

130

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board.

b. t v5 sec.

Document Number: 70833

S-56947—Rev. C, 28-Dec-98

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI2305DS-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3.5 A, 8 V, 0.052 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET
SI2305DS-T1	VISHAY	获取价格	P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2305DS-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2305DS-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3.5 A, 8 V, 0.052 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND R
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