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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.15 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.16 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.16 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.047 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| AO3418 | AOS |
功能相似  |
30V N-Channel MOSFET |
|
| ZXMN3F30FHTA | DIODES |
功能相似 |
30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI2306DS | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI2306DS (KI2306DS) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| SI2306DS-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 3.5 A, 30 V, 0.057 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FE |
|
| SI2306DS-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI2306DS-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SI2306K | MCC |
获取价格 |
Tape&Reel:3Kpcs/Reel; |
|
| SI2306-TP | MCC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
| SI2307 | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
|
| SI2307 | HC |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| SI2307 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 |
|
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