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SI2306BDS-T1-GE3 PDF预览

SI2306BDS-T1-GE3

更新时间： 2024-11-18 06:11:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 113K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI2306BDS-T1-GE3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.15Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.16 A最大漏极电流 (ID)：3.16 A
最大漏源导通电阻：0.047 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.25 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2306BDS-T1-GE3 数据手册

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Si2306BDS  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free Option Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
4.0  
Qg (Typ.)  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
0.047 at VGS = 10 V  
0.065 at VGS = 4.5 V  
30  
3.0  
RoHS  
3.5  
COMPLIANT  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
3
D
Top View  
Si2306BDS (L6 )*  
* Marking Code  
Ordering Information: Si2306BDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si2306BDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
4.0  
3.5  
3.16  
2.7  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
20  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a, b  
1.04  
1.25  
0.8  
0.62  
0.75  
0.48  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
W
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
80  
Maximum  
100  
Unit  
t ≤ 5 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
130  
60  
166  
°C/W  
RthJF  
75  
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 5 s.  
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
c. Surface Mounted on FR4 board.  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm  
Document Number: 73234  
S-80642-Rev. B, 24-Mar-08  
www.vishay.com  
1
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SI2306BDS-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AO3418 AOS

功能相似

 30V N-Channel MOSFET
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功能相似

 30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI2306DS VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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 		N-Channel MOSFET
SI2306DS-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 3.5 A, 30 V, 0.057 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FE
SI2306DS-T1 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2306DS-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI2306K MCC

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 		Tape&Reel:3Kpcs/Reel;
SI2306-TP MCC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
SI2307 MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2307　 HC

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 		SOT-23　
SI2307 HOTTECH

获取价格

 		SOT-23

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