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SI2306DS

更新时间: 2024-11-17 22:21:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 59K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

SI2306DS 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:,针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.24
Is Samacsys:N配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):3.5 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.25 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

SI2306DS 数据手册

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Si2306DS  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D 100% Rg Tested  
0.057 @ V = 10 V  
3.5  
2.8  
GS  
30  
0.094 @ V = 4.5 V  
GS  
-
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
3
D
Top View  
Si2306DS (A6)*  
*Marking Code  
Ordering Information: Si2306DS-T1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DS  
V
V
GS  
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
3.5  
2.8  
A
a, b  
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
16  
DM  
a, b  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
1.25  
T
= 25_C  
= 70_C  
1.25  
A
a, b  
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
0.80  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
-55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
100  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
_
C/W  
Steady State  
130  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board.  
b. t v 5 sec.  
Document Number: 70827  
S-31873—Rev. C, 15-Sep-03  
www.vishay.com  
1
 

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漏源电压(Vdss):-30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):-3A;栅极-源极阈