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PMV48XP PDF预览

PMV48XP

更新时间： 2024-09-16 12:26:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
15页 153K
描述
20 v, 3.5A P-channel Trench MOSFET

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PMV48XP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT-23包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：0.055 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PMV48XP 数据手册

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PMV48XP  
20 V, 3.5 A P-channel Trench MOSFET  
Rev. 1 — 21 December 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small  
SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using  
Trench MOSFET technology.  
1.2 Features and benefits  
„ Logic-level compatible  
„ Very fast switching  
„ Trench MOSFET technology  
1.3 Applications  
„ High-side loadswitch  
„ High-speed line driver  
„ Relay driver  
„ Switching circuits  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
drain-source  
voltage  
Tamb = 25 °C  
-
-
-
-
-20  
V
V
A
VGS  
ID  
gate-source  
voltage  
-12  
-
12  
[1]  
drain current  
VGS = -4.5 V; Tamb = 25 °C  
-3.5  
Static characteristics  
RDSon drain-source  
VGS = -4.5 V; ID = -2.4 A;  
pulsed; tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0.01;  
Tj = 25 °C  
-
48  
55  
mΩ  
on-state  
resistance  
[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for  
drain 6 cm2.  
1234567...15

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PMV48XP 替代型号

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