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SI2306DS-T1-E3

更新时间： 2024-09-15 15:51:11

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	82K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI2306DS-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SI2306DS-T1-E3 数据手册

Si2306DS

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D 100% R_gTested

0.057 @ V = 10 V

3.5

2.8

0.094 @ V = 4.5 V

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2306DS (A6)*

*Marking Code

Ordering Information: Si2306DS-T1

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

3.5

2.8

a, b

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

a, b

Continuous Source Current (Diode Conduction)

1.25

= 25_C

= 70_C

1.25

a, b

Maximum Power Dissipation

0.80

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

100

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

C/W

Steady State

130

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board.

b. t v 5 sec.

Document Number: 70827

S-31873—Rev. C, 15-Sep-03

www.vishay.com

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与SI2306DS-T1-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI2306K	MCC	获取价格	Tape&Reel:3Kpcs/Reel;
SI2306-TP	MCC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
SI2307	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2307	HC	获取价格	SOT-23
SI2307	HOTTECH	获取价格	SOT-23
SI2307A	UMW	获取价格	漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-3A;栅极-源极阈
SI2307BDS	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2307BDS (KI2307BDS)	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
SI2307BDS-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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