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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 8 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.052 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI2305DS-T1-E3 | VISHAY |
类似代替  |
P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET |
|
| SI2305DS-T1 | VISHAY |
功能相似 |
P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI2305-TP | MCC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| SI2305-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
| SI2306 | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
|
| SI2306 | HC |
获取价格 |
SOT-23 |
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| SI2306 |
获取价格 |
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Fie |
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| SI2306 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| SI2306A | UMW |
获取价格 |
漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:4A;栅极-源极阈值电 |
|
| SI2306BDS | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI2306BDS-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI2306BDS-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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