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SI2306A

更新时间： 2024-11-19 17:15:15

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友台半导体 - UMW		栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	1557K
描述
漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:4A;栅极-源极阈值电压:3V @ 250uA;漏源导通电阻:35mΩ@10V;最大功耗（Ta = 25°C）:1.25W;种类:N-Channel;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:50mΩ@4.5V

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SI2306A 数据手册

UMW

UMW SI2306A

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

■ Features

SOT–23

● VDS (V) = 30V

● RDS(ON) ＜ 35mΩ (VGS =-10V), ID=4A

● RDS(ON) ＜ 50mΩ(VGS =-4.5V),ID=3.5A

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

VDS

Rating

Unit

Gate-Source Voltage

VGS

±20

Ta=25

℃

Continuous Drain Current Tj=150℃ *1

3.5

Ta=70℃

Pulsed Drain Current

IDM

1.25

0.8

Ta=25℃

Power Dissipation

℃/W

℃

Ta=70℃

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

100

t ≤ 5 sec

Steady State

RthJA

130

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

Tstg

-55 to 150

*1.Surface Mounted on FR4 Board,.t ≤ 5 sec

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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