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SI2306K

更新时间: 2024-11-19 17:02:11
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美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
6页 1107K
描述
Tape&Reel:3Kpcs/Reel;

SI2306K 数据手册

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SI2306K  
Features  
Trench MOSFET Technology  
ESD Protected Up To 2KV (HBM)  
Moisture Sensitivity Level 1  
Halogen Free. “Green” Device (Note1)  
Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS  
N-Channel  
MOSFET  
Compliant. See Ordering Information)  
Maximum Ratings  
SOT-23  
Operating Junction Temperature Range : -55°C to +150°C  
Storage Temperature Range: -55°C to +150°C  
A
D
Thermal Resistance: 130°C/W Junction to Ambient(Note2)  
3
Parameter  
Rating  
60  
Symbol  
VDS  
Unit  
V
B
C
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Volltage  
1
2
VGS  
±30  
V
F
E
TA=25°C  
0.55  
0.35  
2.2  
ID  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current (Note3)  
A
TA=100°C  
H
G
J
L
IDM  
PD  
A
K
Total Power Dissipation (Note4)  
0.96  
W
DIMENSIONS  
MM  
1RWHꢀ  
INCHES  
DIM  
NOTE  
MIN MAX MIN MAX  
0.110 0.120 2.80 3.04  
0.083 0.104 2.10 2.64  
0.047 0.055 1.20 1.40  
0.034 0.041 0.85 1.05  
0.067 0.083 1.70 2.10  
0.018 0.024 0.45 0.60  
ꢁꢂ +DORJHQꢃIUHHꢃꢄ*UHHQ´ꢃSURGXFWVꢃDUHꢃGHILQHGꢃDVꢃWKRVHꢃZKLFKꢃFRQWDLQꢃꢅꢆꢇꢇSSPꢃEURPLQHꢈ  
A
B
C
D
E
F
ꢅꢆꢇꢇSSPꢃFKORULQHꢃꢉꢅꢁꢊꢇꢇSSPꢃWRWDOꢃ%Uꢃꢋꢃ&OꢌꢃDQGꢃꢅꢁꢇꢇꢇSSPꢃDQWLPRQ\ꢃFRPSRXQGVꢂ  
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&RSSHUꢈꢃLQꢃDꢃVWLOOꢃDLUꢃHQYLURQPHQWꢃZLWKꢃ7$ꢃ ꢍꢊƒ&ꢂꢃ  
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ꢏꢂ 3'ꢃLVꢃEDVHGꢃRQꢃPD[ꢂꢃMXQFWLRQꢃWHPSHUDWXUHꢈꢃXVLQJꢃMXQFWLRQꢎambientꢃWKHUPDOꢃUHVLVWDQFHꢂ  
G
H
J
K
L
0.01 0.15  
0.0004 0.006  
0.035 0.043 0.90 1.10  
0.003 0.007 0.08 0.18  
0.012 0.020 0.30 0.51  
0.020  
0.50  
0.007  
0.20  
Suggested Solder Pad Layout  
Internal Structure and Marking Code  
0.031  
0.800  
0.035  
0.900  
D
D
0.079  
2.000  
inches  
mm  
1. *$7E  
2. 6285&(  
HK.  
3. '5$,1  
G
0.037  
0.950  
G
S
0.037  
0.950  
S
Rev.4-1-10232023  
1/6  
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