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SI2312DS-T1-E3

更新时间： 2024-11-21 21:16:11

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	84K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI2312DS-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.77 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

SI2312DS-T1-E3 数据手册

Si2312DS

Vishay Siliconix

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D 1.8-V Rated

D RoHS Compliant

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

Q_g(Typ)

Pb-free

Available

0.033 @ V = 4.5 V

4.9

4.4

3.9

0.040 @ V = 2.5 V

11.2

0.051 @ V = 1.8 V

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2312DS (C2)*

*Marking Code

Ordering Information: Si2312DS-T1

Si2312DS-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

T = 25_C

4.9

3.9

3.77

3.0

Continuous Drain Current (T = 150__C)

T = 70_C

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

L = 0.1 mH

Single Avalanche Energy

11.25

1.0

Continuous Source Current (Diode Conduction)

T = 25_C

1.25

0.80

0.75

0.48

Power Dissipation

T = 70_C

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

120

100

166

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Foot

thJF

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

b. Pulse width limited by maximum junction temperature

Document Number: 71338

S-50574—Rev. E, 04-Apr-05

www.vishay.com

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SI2312DS-T1-E3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI2312DS-T1	VISHAY	功能相似	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

与SI2312DS-T1-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI2312HE3	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2312-TP	MCC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
SI2314	HOTTECH	获取价格	SOT-23
SI2314EDS	VISHAY	获取价格	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2314EDS (KI2314EDS)	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
SI2315	HC	获取价格	SOT-23
SI2315	HOTTECH	获取价格	SOT-23
SI2315BDS	VISHAY	获取价格	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2315BDS (KI2315BDS)	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
SI2315BDS-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET