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SI2315BDS-T1 PDF预览

SI2315BDS-T1

更新时间： 2024-09-13 12:33:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 214K
描述
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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SI2315BDS-T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.19 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI2315BDS-T1 数据手册

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Si2315BDS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free Option Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 3.85  
- 3.4  
• TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated  
Pb-free  
0.050 at VGS = - 4.5 V  
0.065 at VGS = - 2.5 V  
0.100 at VGS = - 1.8V  
Available  
- 12  
RoHS*  
COMPLIANT  
- 2.7  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
3
D
Top View  
Si2315BDS *(M5)  
* Marking Code  
Ordering Information: Si2315BDS-T1  
Si2315BDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si2315BDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 12  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
- 3.85  
- 3.0  
- 3.0  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
T
- 2.45  
A
Pulsed Drain Currenta  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
IDM  
IS  
- 12  
- 1.0  
1.19  
0.76  
- 0.62  
0.75  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Power Dissipationa  
PD  
W
0.48  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typ.  
85  
Max.  
105  
166  
75  
Unit  
t ≤ 5 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
130  
60  
°C/W  
RthJF  
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board.  
b. t ≤ 5 s.  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 72014  
S-80642-Rev. E, 24-Mar-08  
www.vishay.com  
1
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SI2315BDS-T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI2315BDS-T1-E3 VISHAY

功能相似

 TRANSISTOR 3000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, T
SI2333DS-T1-E3 VISHAY

功能相似

 Halogen-free According to IEC 61249-2-21
SI2333CDS-T1-E3 VISHAY

功能相似

 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

与SI2315BDS-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI2315BDS-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 3000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, T
SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
SI2315DS VISHAY

获取价格

 		P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2315DS-T1 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2316 HOTTECH

获取价格

 		SOT-23
SI2316BDS VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2316BDS-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2316BDS-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2316DS VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2316DS-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET

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