5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> SI2315BDS-T1
SI2315BDS-T1 PDF预览

SI2315BDS-T1

更新时间： 2024-11-17 12:33:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 214K
描述
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI2315BDS-T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.19 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI2315BDS-T1 数据手册

 浏览型号SI2315BDS-T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI2315BDS-T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI2315BDS-T1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI2315BDS-T1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI2315BDS-T1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI2315BDS-T1的Datasheet PDF文件第7页 
Si2315BDS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free Option Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 3.85  
- 3.4  
• TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated  
Pb-free  
0.050 at VGS = - 4.5 V  
0.065 at VGS = - 2.5 V  
0.100 at VGS = - 1.8V  
Available  
- 12  
RoHS*  
COMPLIANT  
- 2.7  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
3
D
Top View  
Si2315BDS *(M5)  
* Marking Code  
Ordering Information: Si2315BDS-T1  
Si2315BDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si2315BDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 12  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
- 3.85  
- 3.0  
- 3.0  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
T
- 2.45  
A
Pulsed Drain Currenta  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
IDM  
IS  
- 12  
- 1.0  
1.19  
0.76  
- 0.62  
0.75  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Power Dissipationa  
PD  
W
0.48  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typ.  
85  
Max.  
105  
166  
75  
Unit  
t ≤ 5 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
130  
60  
°C/W  
RthJF  
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board.  
b. t ≤ 5 s.  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 72014  
S-80642-Rev. E, 24-Mar-08  
www.vishay.com  
1
1234567...9

中文翻译

下载PDF

SI2315BDS-T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI2315BDS-T1-E3 VISHAY

功能相似

 TRANSISTOR 3000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, T
SI2333DS-T1-E3 VISHAY

功能相似

 Halogen-free According to IEC 61249-2-21
SI2333CDS-T1-E3 VISHAY

功能相似

 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

与SI2315BDS-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI2315BDS-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 3000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, T
SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
SI2315DS VISHAY

获取价格

 		P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2315DS-T1 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2316 HOTTECH

获取价格

 		SOT-23
SI2316BDS VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2316BDS-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2316BDS-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2316DS VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2316DS-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET

与SI2315BDS-T1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证