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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.16 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 12 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.19 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI2315BDS-T1-E3 | VISHAY |
类似代替  |
TRANSISTOR 3000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, T |
|
| SI2333DS-T1-E3 | VISHAY |
类似代替 |
Halogen-free According to IEC 61249-2-21 |
|
| SI2333CDS-T1-E3 | VISHAY |
类似代替 |
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI2315DS | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET |
|
| SI2315DS-T1 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET |
|
| SI2316 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| SI2316BDS | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI2316BDS-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI2316BDS-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI2316DS | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI2316DS-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET |
|
| SI2316DS-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SI2316DS-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, ROHS COMPLIANT PACK |
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