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SI2319　

更新时间： 2024-09-16 17:15:31

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SOT-23

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SI2319　数据手册

SHENZHEN HAOCHANG SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate MOSFETS

MOSFET

SI2319 P-Channel Enhancement MOSFET

SOT-23-3

Unit: mm

+0.2

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

■ Features

● VDS (V) =-40V

● ID =-3.0A (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 82mΩ (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 130mΩ (VGS =-4.5V)

+0.02

-0.02

+0.1

0.15

0.95

-0.1

+0.1

-0.2

1.9

1. Gate

2. Source

3. Drain

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

-40

VDS

±20

Gate-Source Voltage

-3.0

-2.4

-2.3

Continuous Drain Current

Ta = 25℃

Ta = 70℃

(TJ = 150℃)

-1.85

-12

Pulsed Drain Current

Power Dissipation *1

IDM

1.25

0.8

0.75

0.48

Ta = 25℃

Ta = 70℃

100

166

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient *1

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient *2

Thermal Resistance.Junction- to-Foot

Junction Temperature

thJA

thJF

℃/W

℃

150

-55 to 150

Storage Temperature Range

Tstg

*1 Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 5 sec.

*2 Surface Mounted on FR4 Board.

浩畅半导体

RevK：M ay2014

www.szhaochang.cn

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与SI2319　相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI2319A	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-40V;持续漏极电流（Id）（在25°C
SI2319CDS	VISHAY	获取价格	P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
SI2319CDS-T1-GE3	VISHAY	获取价格	P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
Si2319DDS	VISHAY	获取价格	P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
SI2319DS	VISHAY	获取价格	P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI2319DS (KI2319DS)	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
SI2319DS-T1	VISHAY	获取价格	P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI2319DS-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI2320DS	VISHAY	获取价格	N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI2321	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;