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SI2323DDS-T1-GE3

更新时间： 2024-11-18 20:39:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 211K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN

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SI2323DDS-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：1.6
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：5.3 A最大漏源导通电阻：0.039 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2323DDS-T1-GE3 数据手册

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Si2323DDS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
TrenchFET® Power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
VDS (V)  
RDS(on) () Max.  
Qg (Typ.)  
I
D (A)d  
100 % R Tested  
Material categorization:  
g
0.039 at VGS = - 4.5 V  
0.050 at VGS = - 2.5 V  
0.075 at VGS = - 1.8 V  
- 5.3  
- 4.7  
- 3.8  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
- 20  
13.6 nC  
APPLICATIONS  
TO-236  
(SOT-23)  
•
•
•
•
Load Switch  
PA Switch  
DC/DC Converters  
Power Management  
S
G
S
1
2
3
D
G
Top View  
Si2323DDS (E4)*  
D
* Marking Code  
P-Channel MOSFET  
Ordering Information:  
Si2323DDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 20  
8
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
TC = 25 °C  
- 5.3  
- 4.3  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 4.1a,b  
T
- 3.2a,b  
- 20  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (t = 300 µs)  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
- 1.4  
Continuous Source-Drain Diode Current  
- 0.8a,b  
1.7  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
1.1  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
0.96a,b  
0.62a,b  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambienta, c  
Symbol  
Typical  
100  
Maximum  
130  
Unit  
RthJA  
t 5 s  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
60  
75  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 5 s.  
c. Maximum under steady state conditions is 175 °C/W.  
d. TC = 25 °C.  
Document Number: 64004  
S13-1165-Rev. A, 13-May-13  
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
This document is subject to change without notice.  
www.vishay.com  
1
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;

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