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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI2325DS-T1-GE3
SI2325DS-T1-GE3 PDF预览

SI2325DS-T1-GE3

更新时间： 2024-11-18 12:02:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 197K
描述
P-Channel 150-V (D-S) MOSFET

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SI2325DS-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.55
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.53 A
最大漏极电流 (ID)：0.53 A最大漏源导通电阻：1.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2325DS-T1-GE3 数据手册

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Si2325DS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 150-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 0.69  
- 0.66  
Qg (Typ.)  
Available  
1.2 at VGS = - 10 V  
1.3 at VGS = - 6.0 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
Ultra Low On-Resistance  
Small Size  
- 150  
7.7  
APPLICATIONS  
Active Clamp Circuits in DC/DC Power Supplies  
•
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
3
D
Top View  
Si2325DS (D5)*  
* Marking Code  
Ordering Information: Si2325DS -T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si2325DS -T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
- 150  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
- 0.69  
- 0.55  
- 0.53  
- 0.43  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
T
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 1.6  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)a, b  
Single Pulse Avalanche Current  
- 1.0  
- 0.6  
IAS  
EAS  
4.5  
L = 1.0 mH  
Single Pulse Avalanche Energy  
1.01  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
1.25  
0.8  
0.75  
0.48  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
75  
Maximum  
100  
Unit  
t ≤ 5 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
120  
40  
166  
°C/W  
RthJF  
50  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 73238  
S09-0133-Rev. B, 02-Feb-09  
www.vishay.com  
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SI2325DS-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI2325DS-T1-E3 VISHAY

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