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SI2328DS (KI2328DS)

更新时间： 2024-11-19 18:09:39

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科信 - KEXIN		/
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N-Channel MOSFET

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SMD Type

MOSFET

N-Channel Enhancement MOSFET

SI2328DS (KI2328DS)

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

+0.1

-0.1

0.4

■ Features

● VDS (V) = 100V

● I

D = 1.5 A (VGS = 10V)

● RDS(ON) ＜ 250mΩ (VGS = 4.5V)

+0.1

-0.1

+0.05

-0.01

0.95

0.1

+0.1

-0.1

1.9

1.Gate

2.Source

3.Drain

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

100

±20

VDS

Gate-Source Voltage

1.5

1.2

1.15

0.92

Ta=25℃

Continuous Drain Current *1

Ta=70℃

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

L=0.1mH

1.8

Single Avalanche Energy

1.25

0.8

0.73

0.47

Ta=25℃

Ta=70℃

Power Dissipation *1

100

170

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient *1 t≤5 sec

Steady State

thJA

thJF

℃/W

Thermal Resistance.Junction-to-Foot

Junction Temperature

150

℃

Storage Temperature Range

-55 to 150

stg

*1 Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

*2 Pulse width limited by maximum junction temperature

www.kexin.com.cn

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